引言

MOS管是金屬(metal)-氧化物(oxide)-半導體(semiconductor)場效應晶體管，作為電壓驅動大電流型器件，大量應用于電路尤其是動力系統中。本文以MOS管漏電失效為例，通過形貌觀察、無損分析、開封觀察、定位分析、SEM形貌觀察、去層分析等測試方法，分析其失效原因，并提出改善建議。

一、案例背景

產品在測試階段通過萬用表測試發現PCBA上MOS管漏電失效，現進行分析，查找其失效原因。

二、分析過程

1. 外觀檢查

對失效PCBA上MOS管進行外觀檢查；觀察結果顯示：失效PCBA上1#MOS管外觀無明顯的裂紋、破損等異常，與旁邊的2#MOS管無明顯差異。

2. 失效現象確認

為確認失效PCBA上1#MOS管是否存在明顯的漏電現象，對比測試2#MOS管與1#MOS管引腳間的半導體特性，發現1#MOS管引腳間都存在明顯的漏電現象。

圖1. MOS管引腳間半導體特性曲線

3. 無損分析

為確認失效1#MOS管內部結構、封裝是否存在明顯缺陷，取下1#、2#MOS管利用X-ray、超聲掃描對其進行無損分析。

無損分析結果顯示：失效的1#MOS管內部結構完整，鍵合絲未發現明顯的斷裂跡象；超聲掃描未發現內部封裝有分層現象，可排除因內部金屬遷移導致的漏電失效。

圖2. 1#、2#MOS管X-ray檢查形貌

圖3. MOS管超聲掃描形貌

4. 開封觀察

為確認失效1#MOS管內部是否存在明顯燒毀現象，對1#、2#MOS管進行開封觀察。

觀察結果顯示：1#MOS管表面未發現明顯裂紋、破損、燒毀等明顯異常，與2#MOS管表面形貌基本一致。

圖4. 1#、2#MOS管開封后形貌

5. 定位分析

前面分析可知：1#MOS管存在漏電現象，為確認1#內部的漏電位置，利用OBIRCH定位技術對1#內部的漏電位置進行定位分析。

定位結果顯示：1#MOS管存在異常亮點，亮點主要集中在晶圓上邊沿，如圖所示。

圖5. 1#MOS定位形貌

6. SEM形貌觀察

為確認1#MOS管漏電的可能原因，利用電子掃描顯微鏡對1#MOS管異常亮點周邊位置進行SEM形貌觀察。

開封結果顯示：1#MOS管異常亮點位置的金屬層存在裂紋，因金屬層覆蓋，芯片內部是否存在其他缺陷需進一步確認。

圖6. 1#MOS管開封后SEM形貌

圖7. 2#MOS管開封后SEM形貌

7. 去層分析

7.1 去表面金屬層

為確認芯片內部是否存在其他異常，利用化學藥水去除1#MOS芯片表面的金屬層，觀察內部晶胞形貌。

觀察結果顯示：內部小單元晶胞存在擊穿、熔融的現象，擊穿熔融周邊伴隨著裂紋產生。

圖8. 1#MOS管去表面金屬層后形貌

7.2 去介質層

為確認失效的1#MOS管Si襯底是否存在其他缺陷，去除內部介質層后觀察襯底形貌。

觀察結果顯示：1#MOS管Si襯底只存在熔融現象，未發現由外圍延伸到內部的裂紋、破損等異常。

圖9. 1#MOS管去介質層后形貌

以上測試結果說明：MOS管失效的原因為內部存在擊穿熔融燒毀的現象，從形貌上判斷應屬于過壓擊穿。

三、總結分析

MOS管在測試階段出現漏電失效，經過外觀檢查、失效現象確認、無損分析、開封觀察、定位分析、SEM形貌觀察、去層分析等測試后發現：

（1）外觀檢查未發現失效的MOS管存在裂紋、破損等異常，與旁邊的2#MOS管外觀形貌基本一致，因此可排除因受外力導致的失效；

（2）通過半導體特性測試，確認失效MOS管引腳間都存在漏電現象；

（3）X-ray檢查、超聲掃描等無損分析未發現失效MOS管內部存在鍵合斷裂、分層等異常現象，因此MOS管失效可排查因物料封裝缺陷導致的失效；

（4）開封觀察未發現失效MOS管芯片表層存在明顯燒毀的現象，通過定位分析確認失效MOS漏電點主要集中在芯片上邊沿部位；通過對漏電位置的SEM形貌觀察發現漏電附近有金屬層存在裂紋；

（5）通過去除失效MOS管表面的金屬層以及介質層確認失效MOS管漏電位置存在擊穿熔融的現象，這是MOS管漏電失效的原因。失效MOS管擊穿熔融位置的形貌表現為范圍小、擊穿現象輕微，這種形貌應是短時的過壓擊穿后形成的。

四、結論與建議

MOS管失效的原因為承受了短時的過電壓導致的引腳間漏電。

改善建議

1. 排查MOS管供應電路是否有過壓現象；

2. 做好物料、PCBA的靜電防護。

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