
D-SIMS可以提供表面,薄膜,界面以至于三維樣品的元素結構信息,其特點在二次離子來自表面單個原子層(1nm以內(nèi)),僅帶出表面的化學信息,具有分析區(qū)域小、分析深度淺和檢出限高的特點,廣泛應用于物理,化學,微電子,生物,制藥,空間分析等工業(yè)和研究方面。
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| 項目概述
二次離子質(zhì)譜技術(Dynamic Secondary Ion Mass Spectrometry,D-SIMS)是一種非常靈敏的表面分析技術,通過用一次離子激發(fā)樣品表面,打出極其微量的二次離子,根據(jù)二次離子的質(zhì)量來測定元素種類,具有極高分辨率和檢出限的表面分析技術。D-SIMS可以提供表面,薄膜,界面以至于三維樣品的元素結構信息,其特點在二次離子來自表面單個原子層(1nm以內(nèi)),僅帶出表面的化學信息,具有分析區(qū)域小、分析深度淺和檢出限高的特點,廣泛應用于物理,化學,微電子,生物,制藥,空間分析等工業(yè)和研究方面。
| 測試目的
(1)當產(chǎn)品表面存在微小的異物,而常規(guī)的成分測試方法無法準確對異物進行定性定量分析,可選擇D-SIMS進行分析,D-SIMS能分析≥10μm直徑的異物成分。
(2)當產(chǎn)品表面膜層太薄,無法使用常規(guī)測試進行膜厚測量,可選擇D-SIMS進行分析,利用D-SIMS測量≥1nm的超薄膜厚。
(3)當產(chǎn)品表面有多層薄膜,需測量各層膜厚及成分,利用D-SIMS能準確測定各層薄膜厚度及組成成分。
(4)當膜層與基材截面出現(xiàn)分層等問題,但是未能觀察到明顯的異物痕跡,可使用D-SIMS分析表面超痕量物質(zhì)成分,以確定截面是否存在外來污染,檢出限高達ppb級別。
(5)摻雜工藝中,摻雜元素的含量一般是在ppm-ppb之間,且深度可達幾十微米,使用常規(guī)手段無法準確測試摻雜元素從表面到心部的濃度分布,利用D-SIMS可以完成這方面參數(shù)測試。
| 美信優(yōu)勢
1、專業(yè)團隊:擁有多名經(jīng)驗豐富的檢測工程師和技術專家。
2、先進設備:配備國際領先的檢測設備,確保檢測結果的準確性和可靠性。
3、高效服務:快速響應客戶需求,提供一站式高效檢測服務。
4、權威認證:實驗室通過ISO/IEC 17025認證,檢測報告具有國際公信力。